Հիդրոթերմային մեթոդով մշակված KG բյուրեղը (HGTR) բարձր հիդրոթերմային մեթոդով մշակված KTP բյուրեղը հաղթահարում է հեղուկի աճեցված KTP էլեկտրոքրոմիզմի տարածված երևույթը, այդպիսով ունի բազմաթիվ առավելություններ ՝ բարձր էլեկտրական դիմադրություն, ներմուծման ցածր կորուստ, ցածր կիսալիքային լարում, բարձր լազերային վնաս: շեմն ու փոխանցման լայն խումբը:

HGTR-KTP բյուրեղապակի կողմից պատրաստված KTP Pockels բջիջները հիմնականում օգտագործվում են զարկերակային լազերներում, նեղ զարկերակային լայնությամբ և կրկնության բարձր հաճախությամբ: Բարձր առավելագույն ոչնչացման գործակիցի, կես կիսամյակային ալիքի ցածր լարման և պիեզոէլեկտրական զանգի ազդանշանային ազդեցություն ունենալու դեպքում `կրկնվող հաճախության բարձր հաճախության պայմաններում, KTP Pockels բջիջները լայնորեն օգտագործվում են լազերային շարքում, լազերային դիրքում, բժշկական լազերներում և արդյունաբերական լազերներում և այլն:

WISOPTIC- ը տրամադրում է տեխնիկական խորհրդատվություն, դիզայնի ծառայություններ, հարմարեցված թեստային նմուշ և KTP Pockels բջիջների արագ առաքման ստանդարտ արտադրանք:

Կապվեք մեզ հետ `KTP Pockels բջջային բջջային ծրագրի կիրառման լավագույն լուծման համար:

KTP գրպանի բջիջի WISOPTIC առավելությունները

• լայն օպտիկական թողունակություն (0,5-3 մկմ)

• Տեղադրման ցածր կորուստ

• halfածր կես ալիքի լարումը

• operatingածր աշխատանքային լարման

• Ոչնչացման բարձր հարաբերակցություն

• Շատ բարձր լազերային վնասների շեմն

• Պիեզոէլեկտրական զանգի ազդեցություն չկա

• Բարձր կրկնվող արագությամբ լազերի ճշգրիտ անցում գերարագ լարման շարժիչներով

• mերմաստիճանային փոխհատուցվող ձևավորում `ջերմաստիճանի մեծ տիրույթում աշխատելու համար

• Կոմպակտ դիզայն, շատ հեշտ է տեղադրել և կարգաբերել

• Որակի KTP բյուրեղապակ ՝ շրջակա միջավայրի բարձր դիմադրությամբ և սպասարկման երկար կյանքով

KTP գրպանների բջիջի WISOPTIC տեխնիկական տվյալներ

KTP զույգերից մեկի չափերը (մմ)	X- կտրված		Y- կտրված		Էլեկտրական դիմադրություն (Օմ · սմ)
	HWV @ 1064nm (V)	Ոչնչացման հարաբերակցությունը @ 633nm (dB)	HWV @ 1064nm (V)	Ոչնչացման հարաբերակցությունը @ 633nm (dB)
3 × 3 10	1200-ին	> 20	1000-ը	> 20	> 1011
4 × 4 × 10	1600	> 20	1300	> 20	> 1011
5 × 5 × 10	2000 թ	> 20	1600	> 20	> 1011
6 × 6 × 10	2300	> 20	1900	> 20	> 1011
7 × 7 × 10	2700	> 20	2200	> 20	> 1011
8 × 8 10	3100	> 20	2500	> 20	> 1011
9 × 9 × 10	3500	> 20	2800	> 20	> 1011
Վնասի շեմն. > 600 ՄՎտ / սմ2-ը 10 ns իմպուլսների համար @ 1064 nm (AR ծածկույթ)