Բացի պիեզոէլեկտրական էֆեկտից, ֆոտոէլեկտրական էֆեկտըLNբյուրեղը շատ հարուստ է, որոնց թվում էլեկտրաօպտիկական էֆեկտը և ոչ գծային օպտիկական էֆեկտն ունեն ակնառու կատարողականություն և առավել լայնորեն կիրառվում:Ավելին,LNբյուրեղյա կարող է լինելսովոր էպատրաստել բարձրորակ օպտիկական ալիքատար պրոտոնի փոխանակման կամ տիտանի դիֆուզիայի միջոցով ևնույնպեսկարող է լինելսովոր էպատրաստել պարբերական բևեռացման բյուրեղ՝ բևեռացման հակադարձմամբ. Հետևաբար, LN բյուրեղը շատ կիրառություններ ունի in E-Oմոդուլատոր (ինչպես ցույց է տրված նկարում), փուլային մոդուլատոր, ինտեգրված օպտիկական անջատիչ,E-O Q-անջատիչ, Է-Oդեֆլեկտորներ, բարձր լարման սենսորներ, ալիքի ճակատի հայտնաբերում, օպտիկական պարամետրային տատանվողներ և ֆեռոէլեկտրական գերվանդակներև այլն:.Ի հավելումն,LN բյուրեղների վրա հիմնված հավելվածներըերկկողմանի սեպaՀաղորդվում է նաև, որ ngle թիթեղներ, հոլոգրաֆիկ օպտիկական սարքեր, ինֆրակարմիր պիրոէլեկտրական դետեկտորներ և էրբիումով ներկված ալիքատար լազերներ:

Ի տարբերություն պիեզոէլեկտրական կիրառությունների,se օպտիկական հաղորդման հետ կապված ծրագրերը տարբեր են պահանջումկատարումըհամարLNբյուրեղներ.Fառաջինly, theլույսի ալիքի տարածում, հետալիքի երկարությունը հարյուրավոր նանոմետրից մինչև մի քանի միկրոն, պահանջում է բյուրեղյա ոչ միայնունեն գերազանց օպտիկական միատեսակությունայլ նաև խստորեն վերահսկելի լինելբյուրեղային թերություններչափերովհամեմատելի ալիքի հետերկարությունը։Երկրորդ,it սովորաբար անհրաժեշտ էհամարօպտիկական կիրառություն՝ բյուրեղում տարածվող լուսային ալիքի փուլային և բևեռացման պարամետրերը վերահսկելու համար։Այս պարամետրերը ուղղակիորեն կապված են բյուրեղի բեկման ցուցիչի չափի և բաշխման հետ, ուստի անհրաժեշտ է վերացնելարտաքին և ներքին սթրեսբյուրեղից որքան հնարավոր է. LNբյուրեղները, որոնք համապատասխանում են օպտիկական կիրառությունների պահանջներին, հաճախ կոչվում են «օպտիկական աստիճանLNբյուրեղներ»:

Z առանցքը ևX-առանցքհիմնականում ընդունվում են ո–ի աճի համարպտիկական աստիճանLNբյուրեղյա.LN բյուրեղի համար Զ- առանցքունիամենաբարձրներկրաչափականհամաչափությունորըհամահունչ է-ի համաչափությունջերմային դաշտ.ՀետեւաբարZ-առանցքը նպաստում է բարձր որակի աճինLN բյուրեղյաորը հարմար էկտրատել քառակուսիների կամ հատուկ ձևի բլոկների:Ֆեռոէլեկտրական գերվանդակավոր սարքերը նույնպեսպատրաստվածZ առանցքիցLNվաֆլիներ. X առանցքLNբյուրեղը հիմնականում օգտագործվում է X-ի պատրաստման համարcut LNվաֆլի, որպեսզի այն համատեղելի լինի կիսահաղորդչային գործընթացով մշակված կտրման, փորման, հղկման, փայլեցման, ֆոտոլիոգրաֆիայի և այլ հետագա մշակման տեխնոլոգիաների հետ:X առանցքLNբյուրեղյա էհիմնականումօգտագործվում է մեծ մասումԷՕմոդուլյատորներ, փուլային մոդուլատորներ, երկփեղկավոր սեպերի կտորներ, ալիքատար լազերներ և այլն:

Բարձրորակ LN բյուրեղյա (LN Pockels cell) մշակված WISOPTIC-ի կողմից: